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拓荊科技擬募資10億元發展半導體設備主業

董添中國證券報·中證網

  近日,拓荊科技科創板上市申請審核狀態更新為“已問詢”。招股說明書顯示,公司本次擬募集資金投資高端半導體設備擴產等項目。

  研發投入大

  2018年度至2020年度及2021年1-3月份(報告期),拓荊科技凈利潤分別為-10322.29萬元、-1936.64萬元、-1169.99萬元及-1058.92萬元,扣除非經常性損益后歸屬于母公司所有者的凈利潤分別為-14993.05萬元、-6246.63萬元、-5711.62萬元和-2400.90萬元。報告期內,公司尚未實現盈利。公司表示,半導體設備行業技術含量高,研發投入大,產品驗證周期長,報告期內公司持續加大了研發投入。

  報告期內,公司研發費用分別為10797.31萬元、7431.87萬元、12278.18萬元和2714.86萬元,占各期營業收入的比例為152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。研發費用金額較高,占營業收入的比例較大。

  拓荊科技主要從事高端半導體專用設備的研發、生產、銷售和技術服務。公司聚焦的半導體薄膜沉積設備與光刻機、刻蝕機共同構成芯片制造三大核心設備。公司主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積(ALD)設備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備三個產品系列,廣泛應用于國內晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產線,并已展開10nm及以下制程產品驗證測試。

  招股說明書顯示,公司自設立以來立足自主創新,通過對薄膜沉積設備核心技術的構建,產品在實現薄膜性能參數的同時,滿足了綜合生產成本相對較低的商業經濟性指標。產品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯芯、燕東微電子等國內主流晶圓廠產線。

  鞏固主業

  根據公告,公司本次發行并上市的募集資金扣除發行費用后,將投資于高端半導體設備擴產項目、先進半導體設備的技術研發與改進項目、ALD設備研發與產業化項目,并補充流動資金。利用募集資金合計約10億元。

  公司表示,募集資金投資項目均圍繞公司主營業務開展,是對現有業務的提升和拓展,有利于進一步擴大公司生產經營規模,提高技術研發實力,提升公司核心競爭力。

  具體看,高端半導體設備擴產項目將在公司現有的半導體薄膜設備研發和生產基地基礎上進行二期潔凈廠房建設、配套設施及生產自動化管理系統建設。二期潔凈廠房建設主要為千級潔凈廠房,設計規模為2600平方米左右。本項目預計建設期為2年,項目總投資7986.46萬元。其中,場地裝修費2500萬元,工程建設其他費200萬元,設備購置2924.16萬元,基本預備費112.48萬元,鋪底流動資金2249.82萬元。

  先進半導體設備技術研發與改進項目預計建設期為3年,項目總投資39948.34萬元。其中,設備購置費8052.02萬元,研發費用31113.02萬元,基本預備費783.3萬元。

  實施ALD設備研發與產業化項目,擬在上海臨港新片區購置整體廠房,進行裝修改造,購置研發設備及生產設備,建設新的研發及生產環境。項目實施主體為全資子公司拓荊上海。項目預計建設期為3年,項目總投資27094.85萬元。其中,工程建設費9969.93萬元,設備購置費2217.05萬元,研發費用13204.2萬元,基本預備費507.83萬元,鋪底流動資金1195.84萬元。

  提示風險

  招股說明書顯示,公司在技術、經營等方面存在風險。

  報告期內,公司對前五大客戶的銷售額占當期主營業務收入的比重分別為100%、84.02%、83.78%和100%,集中度較高。公司表示,集成電路制造屬于資本和技術密集型行業,國內外均呈現主要集成電路制造商經營規模大、數量少的行業特征。如果公司后續不能持續開拓新客戶或對少數客戶形成重大依賴,將不利于公司未來持續穩定發展。

  報告期各期末,公司的存貨余額分別為33052.11萬元、35782.99萬元、52381.17萬元、65935.62萬元,占流動資產的比例分別為47.61%、41.78%、32.55%和38.98%。公司表示,如果未來產品銷售價格發生重大不利變化,可能導致存貨可變現凈值低于賬面凈值,而需要計提存貨跌價準備,從而影響公司的盈利水平。

  公告顯示,晶圓制造屬于高精密制造領域,對產線各環節的良率要求極高,任何進入量產線的設備均需經過長時間工藝驗證和產線聯調聯試。晶圓廠對薄膜沉積設備所需要的驗證時間相比其他半導體專用設備可能更長。對于新客戶的首臺訂單或新工藝訂單設備,整個流程可能需要6-24個月甚至更長時間。如果公司產品驗收周期延長,公司的收入確認將有所延遲。另外,可能存在公司設備驗收不通過、收款時間延后等風險,增加公司的資金壓力,影響公司的財務狀況。

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